G100C04D52 Goford Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: -
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 40A (Tc), 24A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V, 16mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 29nC @ 10V, 45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2213pF @ 20V, 2451pF @ 20V
Potencia - Máxima: 65W (Tc), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-DFN (4.9x5.75)