G120P03S2 Goford Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2835pF @ 15V
Potencia - Máxima: 1.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP
Número de producto base: G120