G180N06S2 Goford Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 8A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 58nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2330pF @ 30V
Potencia - Máxima: 2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP
Número de producto base: G180