SIZF5300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices FET MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen V
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 35A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 32nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1480pF @ 15V
Potencia - Máxima: 4.5W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 12-PowerPair??