DMT6011LPDW-13 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 10.3A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 22.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1072pF @ 30V
Potencia - Máxima: 2.5W (Ta), 37.9W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Número de producto base: DMT6011