DMT3020UFDB-13 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.5A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.7V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 383pF @ 15V
Potencia - Máxima: 860mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-UDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: U-DFN2020-6 (Type B)
Número de producto base: DMT3020