MSCSM170HM12CAG Microchip Technology Matrices FET MOSFET

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tecnología: Silicon Carbide (SiC)
Configuración: 4 N-Channel (Full Bridge)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 1700V (1.7kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 179A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 90A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.2V @ 7.5mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 534nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 9900pF @ 1000V
Potencia - Máxima: 843W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: -
Número de producto base: MSCSM170