DMN66D0LDWQ-13 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 217mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.9nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 29.3pF @ 25V
Potencia - Máxima: 400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-363
Número de producto base: DMN66