SI6913DQ-T1-BE3 Vishay Siliconix Matrices FET MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.9A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 900mV @ 400µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 28nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Potencia - Máxima: 830mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TSSOP
Número de producto base: SI6913