SQJ952EP-T1_BE3 Vishay Siliconix Matrices FET MOSFET

Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 23A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1800pF @ 30V
Potencia - Máxima: 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SO-8
Número de producto base: SQJ952