SH8K26GZ0TB1 Rohm Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.9nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 280pF @ 10V
Potencia - Máxima: 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP
Número de producto base: SH8K26