MSCSM70TLM07CAG Microchip Technology Matrices FET MOSFET

Fabricante: Microchip Technology
Serie: -
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tecnología: Silicon Carbide (SiC)
Configuración: 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 349A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.4V @ 12mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 645nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 13500pF @ 700V
Potencia - Máxima: 966W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Chassis Mount
Paquete/Caja: Module
Paquete de dispositivo del proveedor: SP6C
Número de producto base: MSCSM70