PJS6603_S2_00001 Panjit International Inc. Matrices FET MOSFET

Fabricante: Panjit International Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel Complementary
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.4A (Ta), 2.9A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V, 110mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 5.8nC @ 10V, 9.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 235pF @ 15V, 396pF @ 15V
Potencia - Máxima: 1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-23-6
Número de producto base: PJS6603