PJT7603_R1_00001 Panjit International Inc. Matrices FET MOSFET

Fabricante: Panjit International Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel Complementary
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Potencia - Máxima: 350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-363
Número de producto base: PJT7603