PJQ5846_R2_00001 Panjit International Inc. Matrices FET MOSFET

Fabricante: Panjit International Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1258pF @ 25V
Potencia - Máxima: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN5060B-8
Número de producto base: PJQ5846