IPG20N04S4L18AATMA1 Infineon Technologies Matrices FET MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??T2
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 20A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.2V @ 8µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1071pF @ 25V
Potencia - Máxima: 26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount, Wettable Flank
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TDSON-8-10
Número de producto base: IPG20N