PJQ2800_R1_00001 Panjit International Inc. Matrices FET MOSFET

Fabricante: Panjit International Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.2A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 900mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 515pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.45W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN2020-6L
Número de producto base: PJQ2800