HS8MA2TCR1 Rohm Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5A (Ta), 7A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Potencia - Máxima: 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN3333-9DC
Número de producto base: HS8MA2