NTMC083NP10M5L onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Potencia - Máxima: 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOIC
Número de producto base: NTMC083