PSMN4R2-40VSHX Nexperia USA Inc. Matrices FET MOSFET

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 98A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3.6V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 37nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 2590pF @ 25V
Potencia - Máxima: 85W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-1205, 8-LFPAK56
Paquete de dispositivo del proveedor: LFPAK56D
Número de producto base: PSMN4R2