FDS6900S Fairchild Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 11nC @ 5V, 17nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
Potencia - Máxima: 900mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOIC
Número de producto base: FDS69