TSM2537CQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation Matrices FET MOSFET

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 11.6A (Tc), 9A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
Potencia - Máxima: 6.25W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TDFN (2x2)
Número de producto base: TSM2537