TSM3911DCX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation Matrices FET MOSFET

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.2A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 950mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 15.23nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 882.51pF @ 6V
Potencia - Máxima: 1.15W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-26
Número de producto base: TSM3911