TSM500P02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation Matrices FET MOSFET

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.7A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 800mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1230pF @ 10V
Potencia - Máxima: 620mW
Temperatura de funcionamiento: -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-TDFN (2x2)
Número de producto base: TSM500