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TSM8568CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation Matrices FET MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 15A (Tc), 13A (Tc)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
Potencia - Máxima: 6W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOP
Número de producto base: TSM8568

Datasheet

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