SSM6P39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices FET MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.5A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 6.4nC @ 4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 250pF @ 10V
Potencia - Máxima: 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor: UF6
Número de producto base: SSM6P39