SSM6L14FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Matrices FET MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 800mA (Ta), 720mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 90pF @ 10V, 110pF @ 10V
Potencia - Máxima: 150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor: ES6
Número de producto base: SSM6L14