SSM6N35AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices FET MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 250mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 36pF @ 10V
Potencia - Máxima: 285mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: US6
Número de producto base: SSM6N35