SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices FET MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 100mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.1V @ 100µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 9.3pF @ 3V
Potencia - Máxima: 150mW
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TA)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor: ES6
Número de producto base: SSM6L16