SSM6L36FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage Matrices FET MOSFET

Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 500mA, 330mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.23nC @ 4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 46pF @ 10V
Potencia - Máxima: 150mW
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor: ES6
Número de producto base: SSM6L36