NTHD4508NT1G onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Last Time Buy
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 180pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.13W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: ChipFET??