UPA1857GR-9JG-E1-A Renesas Electronics Corporation Matrices FET MOSFET

Fabricante: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR)
Estado del producto: Last Time Buy
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.8A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 580pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.7W
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-TSSOP (0.173\ 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-TSSOP
Número de producto base: UPA1857