EFC4K105NUZTDG onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 22V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 25A (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.3V @ 1mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 43nC @ 3.8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: -
Potencia - Máxima: 2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 10-SMD, No Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: 10-WLCSP (3.4x1.96)
Número de producto base: EFC4K105