FDS3890 onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: PowerTrench®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 4.7A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 4V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 35nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1180pF @ 40V
Potencia - Máxima: 900mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SOIC
Número de producto base: FDS38