FDC6561AN onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: PowerTrench®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.5A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 3.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 220pF @ 15V
Potencia - Máxima: 700mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivo del proveedor: SuperSOT??6
Número de producto base: FDC6561