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FDG6316P onsemi Matrices FET MOSFET

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Descripción de sus requisitos

Fabricante: onsemi
Serie: PowerTrench®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Last Time Buy
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 P-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 700mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 146pF @ 6V
Potencia - Máxima: 300mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SC-88 (SC-70-6)
Número de producto base: FDG6316

Datasheet

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