NVMFD5875NLT1G onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 7A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 540pF @ 25V
Potencia - Máxima: 3.2W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación: Automotive
Calificación: AEC-Q101
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Número de producto base: NVMFD5875