NTHD3100CT1G onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.9A, 3.2A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 165pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.1W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivo del proveedor: ChipFET??