NTMFD4C20NT1G onsemi Matrices FET MOSFET

Fabricante: onsemi
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9.1A, 13.7A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.1V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 970pF @ 15V
Potencia - Máxima: 1.09W, 1.15W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Número de producto base: NTMFD4