PMCXB1000UEZ Nexperia USA Inc. Matrices FET MOSFET

Fabricante: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel Complementary
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 950mV @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Potencia - Máxima: 285mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-XFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: DFN1010B-6
Número de producto base: PMCXB1000