FDMS3616S Fairchild Semiconductor Matrices FET MOSFET

Fabricante: Fairchild Semiconductor
Serie: PowerTrench®
Paquete: Bulk
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 16A, 18A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 27nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1765pF @ 13V
Potencia - Máxima: 1W
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-PQFN (5x6)
Número de producto base: FDMS3616