IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies Matrices FET MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 3.6A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1.1V @ 10µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 270pF @ 25V
Potencia - Máxima: 1.5W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: 6-PQFN Dual (2x2)
Número de producto base: IRLHS6376