IRF7341GTRPBF Infineon Technologies Matrices FET MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.1A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 44nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 780pF @ 25V
Potencia - Máxima: 2.4W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SO
Número de producto base: IRF734