IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies Matrices FET MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Not For New Designs
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 64A, 145A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.1V @ 35µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 15nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1314pF @ 13V
Potencia - Máxima: 31W, 50W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: PQFN (5x6)
Número de producto base: IRFH4253