BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies Matrices FET MOSFET

Fabricante: Infineon Technologies
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 19A, 33A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1100pF @ 12V
Potencia - Máxima: 2.5W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor: PG-TISON-8
Número de producto base: BSG0813