EPC2105 EPC Matrices FET MOSFET

Fabricante: EPC
Serie: eGaN®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Configuración: 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 9.5A, 38A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Potencia - Máxima: -
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: Die
Paquete de dispositivo del proveedor: Die
Número de producto base: EPC210