EPC2108 EPC Matrices FET MOSFET

Fabricante: EPC
Serie: eGaN®
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Obsolete
Tecnología: GaNFET (Gallium Nitride)
Configuración: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 1.7A, 500mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potencia - Máxima: -
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 9-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor: 9-BGA (1.35x1.35)
Número de producto base: EPC210