DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Característica FET: -
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 2.9A, 2.3A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 3V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 9.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1167pF @ 25V
Potencia - Máxima: 2.1W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 12-VDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor: V-DFN5045-12
Número de producto base: DMHC10