BSS8402DWQ-7 Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: N and P-Channel
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60V, 50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 115mA, 130mA
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 2.5V @ 250µA
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 50pF @ 25V, 45pF @ 25V
Potencia - Máxima: 200mW
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor: SOT-363
Número de producto base: BSS8402