ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated Matrices FET MOSFET

Fabricante: Diodes Incorporated
Serie: -
Paquete: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Estado del producto: Active
Tecnología: MOSFET (Metal Oxide)
Configuración: 2 N-Channel (Dual)
Característica FET: Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 °C: 5.9A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Carga de compuerta (Qg) (Máx.) a Vgs: 22.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) a Vds: 1880pF @ 10V
Potencia - Máxima: 1.8W
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Surface Mount
Paquete/Caja: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor: 8-SO
Número de producto base: ZXMN2